利用光電化學研究緩蝕劑的作用效果
光電化學法是一種原位研究方法，該方法利用電極表面具有半導體性質的氧化物、鹵化物、硫化物及鈍化膜層在合適能量的光照射下產生的光電效應，獲得電極表面層組成的結構信息。該方法對于表征半導體膜的光學和電子性質、分析金屬表面層的組成。電化學系統中的光電效應早已被研究者所注意。自70年代以來，隨著半導體光電化學理論的迅速發展，光電化學法方法作為一種有效的電化學現場研究技術已用于金屬電極鈍化膜結構和組成的研究，光電化學方法除了考慮在鈍化膜/溶液界面進行的電化學反應外，更重要的是可用于探討鈍化膜的固態性質。鈍化膜本質的細微變化都將反應在光響應上，因此最近已有光電化學方法應用于研究鈍化膜的局部破壞方面的報道。汪鷹等采用光電化學的方法研究了復合緩蝕劑對鋼筋鈍化膜的影響。結果表明復合緩蝕劑的加入沒有改變鋼筋鈍化膜的晶體結構和電子性質，它依然是無定形n型的半導體成相膜，但對抑制點蝕核的形成有明顯作用，且對鈍化膜的生長速度有加快作用，從而可能使鈍化膜的組成發生改變。徐群杰用光電化學方法研究了Cu在不同濃度NaCl的硼酸-硼砂溶液中的腐蝕以及緩蝕劑聚天冬氨酸（PASP）對Cu的緩蝕作用。Cu在硼酸-硼砂緩沖溶液中，表面的Cu2O膜為p型半導體。當Cu所在的溶液中存在少量NaCl（小于0.5g/L）時，Cu表面Cu2O膜會受輕微Cl-摻雜但不會改變半導體性質；當溶液中存在較多NaCl（0.5-15g/L）時，Cu2O膜會受到Cl-較嚴重的侵蝕，Cl-摻雜使Cu2O膜部分轉成n型；當溶液中存在大量NaCl（大于15g/L）時，Cu2O膜完全被Cl-摻雜而轉型成n型。PASP的加入能夠對Cu起到緩蝕作用：當NaCl濃度為2g/L時，PASP與溶液中的Cl-在Cu表面競爭吸附，明顯抑制了Cl-對Cu2O膜的摻雜，Cu2O受到了保護仍為p型。
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2013年9月5日
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